Значение слова эпитаксия
Эпитаксия в словаре кроссвордиста
эпитаксияЭпитаксия Эпитакси́я — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от — "на" и — "упорядоченность"), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
эпитаксия(эпи... гр. taxis расположение) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
эпитаксия[эпи... + гр. taxis расположение]ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
эпитаксия(от эпи … и греч. taxis - расположение), ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием сопряжения кристаллических решеток кристалла и подложки.
эпитаксия(от эпи... и греч. taxis - расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза .Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа корунда и алмаза. При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (
111) Si//[1100] (
0001) Al2O
3. Это означает, что грань (
111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (
0001) кристалла Al2O3 (решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы ) .Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя. Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag это~ 600 ), нарастает плёнка с собственной структурой. Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка. Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (
100) Au//[100] (
100) NaCl и [110] (
111) Au //[110] (
100) NaCl. Э. широко используется в микроэлектронике ( транзисторы , интегральные схемы , светодиоды и т. д.); в квантовой электронике - многослойные полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход ) , инжекционные лазеры , в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике (магнитные элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п.Лит.: Палатник Л. С., Папиров И. И., Ориентированная кристаллизация, М., 1964; их же, Эпитаксиальные пленки, М.,
1971. А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов.
эпитаксияэпитаксия, -и
эпитаксиянарастание одного кристаллического материала на другом; ориентированный рост одного кристалла на поверхности подложки
А учитывая сложность работы с драгоценными камнями в нашей стране и непростой доступ к современному научному оборудованию (Оже-спектроскопия, атомно-силовая микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия и т. п.), можно представить, какие сложности пришлось преодолеть, чтобы создать новое уникальное обрабатывающее оборудование, развить технологию и получить эти удивительные экспериментальные результаты.
Транслитерация: epitaksiya
Задом наперед читается как: яискатипэ
Эпитаксия состоит из 9 букв