Значение слова монокристалл
Монокристалл в словаре кроссвордиста
монокристаллмонокристалл — отдельный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку (в противоположность поликристаллу — телу из сросшихся кристаллов). Для монокристаллов характерна анизотропия физических свойств.
монокристаллм.Отдельный кристалл ( в отличие от двойников или сростков кристаллов ) .
монокристалл( см. моно...) одиночный кристалл, имеющий однородную кристаллическую решетку.
монокристаллм. Отдельный кристалл (в отличие от двойников или сростков кристаллов).
монокристалл[см. моно...]одиночный кристалл, имеющий однородную кристаллическую решетку.
монокристаллмонокрист`алл, -а
монокристалл(от моно … и кристалл), отдельный кристалл с непрерывной кристаллической решеткой. От монокристалла отличают поликристаллы.
монокристаллмонокристалл м. Отдельный кристалл (в отличие от двойников или сростков кристаллов).
монокристаллотдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств (см. Кристаллы ) . Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями кристаллизации . Часто М. приобретает хорошо выраженную естественную огранку, в неравновесных условиях кристаллизации огранка проявляется слабо. Примерами огранённых природных М. могут служить М. кварца , каменной соли , исландского шпата , алмаза , топаза . От М. отличают поликристаллы и поликристаллические агрегаты, состоящие из множества различно ориентированных мелких М. М. ценны как материал, обладающий особыми физическими свойствами. Например, алмаз и боразон предельно тверды, флюорит прозрачен для широкого диапазона длин волн, кварц - пьезоэлектрик (см. Пьезоэлектричество ) . М. способны менять свои свойства под влиянием внешних воздействий (света, механических напряжений, электрических и магнитного полей, радиации, температуры, давления). Поэтому изделия и элементы, изготовленные из М., применяются в качестве различных преобразователей в радиоэлектронике, квантовой электронике , акустике, вычислительной технике и др. Первоначально в технике использовались природные М., однако их запасы ограничены, а качество не всегда достаточно высоко. В то же время многие ценные свойства были найдены только у синтетических кристаллов. Поэтому появилась необходимость искусственного выращивания М. Исходное вещество для выращивания М. может быть в твёрдом (в частности, в порошкообразном), жидком (расплавы и растворы) и газообразном состояниях. Известны следующие методы выращивания М. из расплава: а) Стокбаргера; б) Чохральского; в) Вернейля; г) зонной плавки . В методе Стокбаргера тигель с расплавом 1 перемещают вдоль печи 3 в вертикальном направлении со скоростью 1-20 мм/ч ( рис. 1 ). температура в плоскости диафрагмы 6 поддерживается равной температуре кристаллизации вещества. Т. к. тигель имеет коническое дно, то при его медленном опускании расплав в конусе оказывается при температуре ниже температуры кристаллизации, и в нём происходит образование (зарождение) мельчайших кристалликов, из которых в дальнейшем благодаря геометрическому отбору выживает лишь один. Отбор связан главным образом с анизотропией скоростей роста граней М. Этот метод широко используется в промышленном производстве крупных М. флюорита, фтористого лития, сернистого кадмия и др. В методе Чохральского М. медленно вытягивается из расплава ( рис. 2 ). Скорость вытягивания 1-20 мм/ч. Метод позволяет получать М. заданной кристаллографической ориентации. Метод Чохральского применяется при выращивании М. иттриево-алюминиевого граната, ниобата лития и полупроводниковых М. А. В. Степанов создал на основе этого метода способ для выращивания М. с сечением заданной формы, который используется для производства полупроводниковых М. Метод Вернейля бестигельный. Вещество в виде порошка (размер частиц 2-100 мкм ) из бункера 1 ( рис. 3 ) через кислородно-водородное пламя подаётся на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла 2, медленно опускающегося с помощью механизма 5 . Метод Вернейля - основной промышленный метод производства тугоплавких М.: рубина , шпинелей , рутила и др. В методе зонной плавки создаётся весьма ограниченная по ширине область расплава. Затем благодаря последовательному проплавлению всего слитка получают М. Метод зонного проплавления получил широкое распространение в производстве полупроводниковых М. (В. Дж. Пфанн,
1927), а также тугоплавких металлический М. молибден , вольфрам и др. Методы выращивания из раствора включают 3 способа: низкотемпературный (растворители: вода, спирты, кислоты и др.), высокотемпературный (растворители: расплавленные соли и др.) и гидротермальный. Низкотемпературный кристаллизатор представляет собой сосуд с раствором 1, в котором создаётся пересыщение, необходимое для роста кристаллов 2 путём медленного снижения температуры, реже испарением растворителя ( рис. 4 ). Этот метод используется для получения крупных М. сегнетовой соли, дигидрофосфата калия (KDP), нафталина и др. Высокотемпературный кристаллизатор ( рис. 5 ) содержит тигель с растворителем и кристаллизуемым соединением, помещенный в печь. Кристаллизуемое соединение выпадает из растворителя при медленном снижении температуры (раствор-расплавная кристаллизация). Метод применяется для получения М. железоиттриевых гранатов, слюды, а также различных полупроводниковых плёнок. Гидротермальный синтез М. основан на зависимости растворимости вещества в водных растворах кислот и щелочей от давления и температуры. Необходимые для образования М. концентрация вещества в растворе и пересыщение создаются за счёт высокого давления (до 300 Мн/м 2 или 3000 кгс/см
2) и перепадом температуры между верхней ( T1 ~ 250|C) и нижней ( Т2 ~ 500 |С) частями автоклава ( рис. 6 ). Перенос вещества осуществляется конвективным перемешиванием. Гидротермальный синтез является основным процессом производства М. кварца. Методы выращивания М. из газообразного вещества: испарение исходного вещества в вакууме с последующим осаждением пара на кристалл, причём осаждение поддерживается определённым перепадом температуры Т ( рис. 7 , а); испарение в газе (обычно инертном), перенос кристаллизуемого вещества осуществляется направленным потоком газа ( рис. 7 , б); осаждение продуктов химических реакций, происходящих на поверхности затравочного М. ( рис. 7 , в). Метод кристаллизации из газовой фазы широко используется для получения монокристальных плёнок и микрокристаллов для интегральных схем и др. целей. Выбор метода выращивания М. определяется требованием к качеству М. (количество и характер присущих М. дефектов). Различают макроскопические дефекты (инородные включения, блоки, напряжения) и микроскопические ( дислокации , примеси, вакансии ; см. Дефекты в кристаллах ) .Существуют специальные методы уменьшения числа дефектов в М. (отжиг, выращивание М. на бездефектных затравочных кристаллах и др.). При выращивании М. используются различные способы нагревания: омический, высокочастотный, газопламенный, реже плазменный, электроннолучевой, радиационный (в т. ч. лазерный) и электродуговой.Лит.: Бакли Г., Рост кристаллов, пер. с англ., М., 1954; Лодиз Р. А., Паркер Р. Л., Рост монокристаллов, пер. с англ., М., 1973; Маллин Дж., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1966; Шубников А. В., Образование кристаллов, М. - Л., 1947; его же, Как растут кристаллы, М. - Л., 1935; Пфанн [В. Дж.], Принципы зонной плавки, в кн.: Германий, сб. переводов, М., 1955 (Редкие металлы), с. 92 . См. также лит. при ст. Кристаллизация . Х. С. Багдасаров.
монокристаллмонокристалл, -а
монокристаллотдельный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку
«монокристалл»), а конгломерат из бесчисленных крохотных кристалликов, которые металловеды называют зернами.
Приказал сбросить на компьютер корабля звёздную карту сектора катаров этого квадрата и дал монокристалл для линга, переводчика.
Повторить монокристалл в таком же варианте атомной решетки было невозможно — каждый раз получалась другая решетка, хотя по всем основным физическим данным один кристалл был совершенно похож на другой.
Достаточно сказать, что железо может быть мягким, как свинец (монокристалл чистого железа), и твердым, как алмаз (специальная сталь).
Ещё неделю назад Главный жрец принёс большой монокристалл бесцветного топаза и установил его на вершину колонны, с пояснением своих действий: «Для красоты.
Транслитерация: monokristall
Задом наперед читается как: ллатсирконом
Монокристалл состоит из 12 букв