Поиск толкования / значения слов

Введите слово в форму поиска, чтобы найти его значение

Например: город энергия релакс вариативный Москва

Значение слова экситон

Экситон в словаре кроссвордиста

экситон

Экситон Эксито́н ( — «возбуждаю») — квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике, полупроводнике или металле, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы.

Википедия
экситон

[лат. exitare возбуждать + (элек-тр)он]физ. нейтральная квазичастица в полупроводниках, представляющая собой энергетически связанное состояние электрона и не занятого электроном уровня энергии (т. наз. с таким же, как у электрона, но положительным зарядом и также являющиеся носителем тока в полупроводнике).

Словарь иностранных выражений
экситон

( лат. exitare возбуждать + (элек-тр)он) физ. нейтральная квазичастица в полупроводниках, представляющая собой энергетически связанное состояние электрона и не занятого электроном уровня энергии (т. наз. дырки с таким же, как у электрона, но положительным зарядом и также являющиеся носителем тока в полупроводнике).

Новый словарь иностранных слов
экситон

(от лат. excito - возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом заряда и массы. Экситон может быть представлен в виде связанного состояния электрона проводимости и дырки, расположенных или в одном узле кристаллической решетки (экситон Френкеля), или на расстояниях, значительно больших междуатомных (экситон Ванье - Мотта). Понятие экситона используется при объяснении оптических и других свойств полупроводников и диэлектриков.

Современный толковый словарь, БСЭ
экситон

(от лат. excito - возбуждаю), квазичастица , представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Представление об Э. было введено в 1931 Я. И. Френкелем . Он объяснял отсутствие фотопроводимости у диэлектриков при поглощении света тем, что поглощённая энергия расходуется не на создание носителей тока, а на образование Э. В молекулярных кристаллах Э . представляет собой элементарное возбуждение электронной системы отдельной молекулы, которое благодаря межмолекулярным взаимодействиям распространяется по кристаллу в виде волны (экситон Френкеля). Э. Френкеля проявляются в спектрах поглощения и излучения молекулярных кристаллов (см. Спектроскопия кристаллов ) . Если в элементарной ячейке молекулярного кристалла содержится несколько молекул, то межмолекулярное взаимодействие приводит к расщеплению экситонных линий. Этот эффект, называемый давыдовским расщеплением, связан с возможностью перехода Э. Френкеля из одной группы молекул в другую в пределах элементарной ячейки. Давыдовское расщепление экспериментально обнаружено в ряде молекулярных кристаллов (нафталине, антрацене, бензоле и др.). В полупроводниках Э. представляет собой водородоподобное связанное состояние электрона проводимости и дырки (экситон Ванье-Мотта). Энергии связи E * и эффективные радиусы a * Э. Ванье-Мотта можно оценить по формулам Н. Бора для атома водорода, учитывая, что эффективные массы электронов проводимости m э и дырок m д отличаются от массы свободного электрона mo и что кулоновское взаимодействие электрона и дырки в кристалле ослаблено диэлектрической проницаемостью среды e: E*эв; (
1) а * см . Здесь , - Планка постоянная , е - заряд электрона. Формулы (
1) не учитывают влияния сложной зонной структуры кристалла, взаимодействия электронов и дырок с фононами . Однако учёт этих факторов не меняет порядок величин E * и а *. Для Ge, Si и полупроводников типов AIIIBV и AII BVI m* ~ 0,1 т о,e ~ 10, что приводит к значениям E * ~ 10-2 эв ,и а * ~ 10-6 см. Т. о., энергии связи Э. Ванье - Мотта во много раз меньше, чем энергия связи электрона с протоном в атоме водорода, а радиусы Э. во много раз больше межатомных расстояний в кристалле. Большие значения а* означают, что Э. в полупроводниковых кристаллах - макроскопическое образование, причём структура кристалла определяет лишь параметры m* и E *. Поэтому Э. Ванье - Мотта можно рассматривать как квазиатом, движущийся в вакууме. Искажения структуры кристалла, вносимые Э. или даже большим числом Э., пренебрежимо мало. В кристаллах галогенидов щелочных металлов и инертных газов E * ~ 0,1-1 эв , а* ~ 10-7 - 10-8 см и образование Э. сопровождается деформацией элементарной ячейки. Э. Ванье-Мотта отчётливо проявляются в спектрах поглощения полупроводников в виде узких линий, сдвинутых на величину E * ниже края оптического поглощения. Водородоподобный спектр Э. Ванье - Мотта впервые наблюдался в спектре поглощения Cu2O, в дальнейшем в др. полупроводниках. Э. проявляются также в спектрах люминесценции , в фотопроводимости, в Штарка эффекте и Зеемана эффекте . Время жизни Э. невелико: электрон и дырка, составляющие Э., могут рекомбинировать с излучением фотона, например в Ge время жизни Э. порядка 10-5 сек. Э. может распадаться при столкновении с дефектами решётки. При взаимодействии Э. с фотонами, имеющими частоты w , возникают новые квазичастицы - смешанные экситон-фотонные состояния, называемые поляритонами. Свойства поляритонов (например, их закон дисперсии) существенно отличаются от свойств как Э., так и фотонов. Поляритоны играют существ. роль в процессах переноса энергии электронного возбуждения в кристалле, они обусловливают особенности оптических спектров полупроводников в области экситонных полос и др. При малых концентрациях Э. ведут себя в кристалле подобно газу квазичастиц. При больших концентрациях становится существенным их взаимодействие. Возможно образование связанного состояния двух Э. - экситонной молекулы (биэкситона). Однако, в отличие от молекулы водорода, энергия диссоциации биэкситона значительно меньше, чем его энергия связи (эффективные массы электронов и дырок в полупроводниках одного порядка). При повышении концентрации Э. расстояние между ними может стать порядка их радиуса, что приводит к разрушению Э. Это может сопровождаться возникновением 'капель' электронно-дырочной плазмы (см. Электронно-дырочная жидкость ) . Образование электронно-дырочных капель в таких полупроводниках, как Ge и Si, сказывается в появлении новой широкой линии люминесценции, сдвинутой в сторону уменьшения энергии фотона. Электронно-дырочные капли обладают рядом интересных свойств: высокой плотностью электронов и дырок при малой (средней по объёму) концентрации, большой подвижностью в неоднородных полях и т.п. При малых концентрациях экситонов Э., состоящий из двух фермионов (электрона проводимости и дырки), можно рассматривать как бозон . Это означает, что возможна бозе-конденсация Э. (накопление большого числа Э. на наинизшем энергетическом уровне). Бозе-конденсация Э. может привести к существованию в кристалле незатухающих потоков энергии. Однако, в отличие от сверхтекучего жидкого гелия или сверхпроводника ,сверхтекучий поток Э. может существовать не сколь угодно долго, а лишь в течение времени жизни Э.Лит.: Гросс Е. Ф., Экситон и его движение в кристаллической решетке, 'Успехи физических наук', 1962, т. 76, в. 3; Нокс Р., Теория экситонов, пер. с англ., М., 1966; Агранович В. М., Теория экситонов, М., 1968; Давыдов А. С., Теория молекулярных экситонов, М., 1968; Экситоны в полупроводниках, [Сб. статей], М., 1971; Осипьян Ю. А., Физика твердого тела выходит на передовые позиции, 'Природа', 1975, | 10 . А. П. Силин.

Большая советская энциклопедия, БСЭ
экситон

экситон, -а

Полный орфографический словарь русского языка
экситон

квазичастица, состоящая из электрона и дырки

Викисловарь
Примеры употребления слова экситон в тексте

И вполне вероятно, что слово «экситон», которым сегодня пользуется сравнительно узкий круг специалистов, станет таким же общеизвестным, как «атом» или «электрон».

Слова которые можно составить из слова экситон
ико икос икс икт ино инок ион иот иск исно исо исто исток итк ито итон кин кино кио кион киот кис кисто кит кито китон китс книс кнос кон кони конс конт кос коси кости костин кот коти котин коэ коэн кси кто кэсон кэт ник никто никэ нис нит нок нокс нос носик носки нот нотис нсо нто окн окс они оникс онис оски осн ост остин отин отк отс син синэ сион сито скио скит ско скот сниток снк сно сок соки сон сони сот соти сотни сотник соэ сто стоик сток стон стони стэк сэт тик тико тин тис тисо тко тнк ток токси токсин тон тоник тонс тэк тэн тэо тэс эко экс экто энио энки энсо энто эон эос эско эст эти этнос это этос ткс эно кои соник коэсит кэс кэн кисэн стик инк никс энс нтк тос кни конти эсток стэн нтс скин тоси нко отис сэки котс кнс нэко итс стин кист оск эскин ист ниско тони снэк оксинт нико инс энос нки ксо сэнто сотки коин ноэс энсио тоэн исн тинос кои энси котис кэнси китнос иос исэ сотк оэс тисок тонис эникс тсн нэо сонк скт сэни осин скэт инс онти экои нст тоски кинто инкот нкс нитс стио сокэ этоникс тино оти нисэко токи тоин икот ситно эсон ист истон кост ноэ ситко соин китсон эск иско сои исон остик остки энко кисо кисон косин токс стк скон кинт тонк сэто инос эникс эскино осник ноэт окси окни токин кинтэ сиот сонэ кэти сико тои эткин экси стоки эсино сти оки сэко эктоин этик снитко ткон синот тисон этсо сик ситон эктон сотин снэ нти сино стоин кэнти тсо стинко иэс нио тэи нэс эстони сикт тинок тиск инт тэкно экин котэ нокт сит тио эски киос экист экист инэк кнот эстон тосн онкст ниос этин инэ тион нитко оник экн икэн эсик сотик


А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я